Image


LM358BIDR

Amplifiers

    Texas InstrumentsМаркаLM358BIDRИспользование электронных микросхем1Упаковка, рабочий температурный диапазон-40°C ~ 85°C（TA）,Напряжение,Использование8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）Технология упаковки，А теперь...LM358BIDRЗапасы чипов являются17770Персонал。
---
 
Amplifiers

LM358BIDR
查看放大器型号为LM358BIDR，品牌为TI的大图  
 
LM358BIDR     В настоящее время имеется достаточное количество продовольствия и материалов, которые можно...
Общая информация    
Модель   LM358BIDR
Марка  
Производитель   Texas Instruments
ПДФ   Viewing PDF files
Количество запасов   17770
 Inquiry Now
Характеристики    
Минимальное количество   1
Серия   IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC
Упаковка и упаковка   8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
Рабочая температура   -40°C ~ 85°C（TA）
Описание  
 
通用
 
 
  •               Предыдущая статья
    OPA653IDBVT
    Texas Instruments
    J-FET
  •               Следующая статья
    OPA137UA&2K5
    Texas Instruments
    通用
    •  
     
    Марка
     
  •  
    Ваше письмо
    1
     
     
  •  
    Ботун
    2
     
     
  •  
    Энхипс!
    3
     
     
  •  
    Альтра
    4
     
     
  •  
    Микроэлемент
    5
     
     
  •  
    Итальянско - французский полупроводник
    6
     
     
  •  
    полупроводник Ансенми
    7
     
     
  •  
    Техасский прибор
    8
     
     
  •  
    Ядно
    9
     
     
  •  
    Селинс.
    10
     
     
    •  
    Шэньчжэньская компания Kaixing Technology Co., Ltd. Гуандун ICP 2022071625
    Адрес компании: Shenzhen Futian District Zhonghai Jiahe Building A 1809 & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; НБСП; Почтовый индекс: 518000 & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; НБСП; Телефон компании: (86) 0755 - 8889698989 & nbsp; & nbsp; НБСП; Факс: 0755 - 8386885
    Шэньчжэньская компания Kaising Technology Co., Ltd. Авторские права

    Шэньчжэньская компания Kaising Technology Co., Ltd. Авторские права