Image


H11N1SR2M

Isolation

    onsemiМаркаH11N1SR2MИспользование электронных микросхем1Упаковка, рабочий температурный диапазон-40°C ~ 85°C,Напряжение4170Vrms,Использование6-SMD，鸥翼Технология упаковки，А теперь...H11N1SR2MЗапасы чипов являются15662Персонал。
---
 
Isolation

H11N1SR2M
查看隔离型号为H11N1SR2M，品牌为onsemi的大图  
 
H11N1SR2M     В настоящее время имеется достаточное количество продовольствия и материалов, которые можно...
one
Общая информация    
Модель   H11N1SR2M
Марка   onsemi
Производитель   onsemi
ПДФ   Viewing PDF files
Количество запасов   15662
 Inquiry Now
Характеристики    
Минимальное количество   1
Серия   OPTOISO 4.17KV OPN COLL 6SMD
Упаковка и упаковка   6-SMD，鸥翼
Электрическое напряжение   4170Vrms
Рабочая температура   -40°C ~ 85°C
Лаборатория / CCB   DC
 Количество логических элементов   开路集电极
Общий RAM бит   4V ~ 15V
Описание  
 
 
 
  •               Предыдущая статья
    TLP2363(E
    Toshiba Semiconductor and Storage
    TLP2363(E) 是一款由东芝 (Toshiba) 制...
  •               Следующая статья
    HCPL-0601-500E
    Broadcom Limited
    HCPL-0601-500E是一款高速光耦合器产品...
    •  
     
    Марка
     
  •  
    Техасский прибор
    1
     
     
  •  
    Цилиндрические
    2
     
     
  •  
    Альтра
    3
     
     
  •  
    Ваше письмо
    4
     
     
  •  
    Итальянско - французский полупроводник
    5
     
     
  •  
    полупроводник Ансенми
    6
     
     
  •  
    Ядно
    7
     
     
  •  
    Селинс.
    8
     
     
  •  
    Микроэлемент
    9
     
     
  •  
    Ботун
    10
     
     
    •  
    Шэньчжэньская компания Kaixing Technology Co., Ltd. Гуандун ICP 2022071625
    Адрес компании: Shenzhen Futian District Zhonghai Jiahe Building A 1809 & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; НБСП; Почтовый индекс: 518000 & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; НБСП; Телефон компании: (86) 0755 - 8889698989 & nbsp; & nbsp; НБСП; Факс: 0755 - 8386885
    Шэньчжэньская компания Kaising Technology Co., Ltd. Авторские права

    Шэньчжэньская компания Kaising Technology Co., Ltd. Авторские права