Image


FODM121DR1V

Isolation

    onsemiМаркаFODM121DR1VИспользование электронных микросхем1Упаковка, рабочий температурный диапазон-40°C ~ 110°C,Напряжение3750Vrms,Использование4-SMD，鸥翼Технология упаковки，А теперь...FODM121DR1VЗапасы чипов являются18332Персонал。
---
 
Isolation

FODM121DR1V
查看隔离型号为FODM121DR1V，品牌为onsemi的大图  
 
FODM121DR1V     В настоящее время имеется достаточное количество продовольствия и материалов, которые можно...
one
Общая информация    
Модель   FODM121DR1V
Марка   onsemi
Производитель   onsemi
ПДФ   Viewing PDF files
Количество запасов   18332
 Inquiry Now
Характеристики    
Минимальное количество   1
Серия   OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD
Упаковка и упаковка   4-SMD，鸥翼
Электрическое напряжение   3750Vrms
Рабочая температура   -40°C ~ 110°C
Лаборатория / CCB   DC
 Количество логических элементов   晶体管
Описание  
 
 
 
  •               Предыдущая статья
    HMA121FR3V
    onsemi
    1
  •               Следующая статья
    MCT52113S
    onsemi
    1
    •  
     
    Марка
     
  •  
    Итальянско - французский полупроводник
    1
     
     
  •  
    полупроводник Ансенми
    2
     
     
  •  
    Ядно
    3
     
     
  •  
    Альтра
    4
     
     
  •  
    Энхипс!
    5
     
     
  •  
    Микроэлемент
    6
     
     
  •  
    Цилиндрические
    7
     
     
  •  
    Ваше письмо
    8
     
     
  •  
    Селинс.
    9
     
     
  •  
    Ботун
    10
     
     
    •  
    Шэньчжэньская компания Kaixing Technology Co., Ltd. Гуандун ICP 2022071625
    Адрес компании: Shenzhen Futian District Zhonghai Jiahe Building A 1809 & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; НБСП; Почтовый индекс: 518000 & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; НБСП; Телефон компании: (86) 0755 - 8889698989 & nbsp; & nbsp; НБСП; Факс: 0755 - 8386885
    Шэньчжэньская компания Kaising Technology Co., Ltd. Авторские права

    Шэньчжэньская компания Kaising Technology Co., Ltd. Авторские права