Image


FODM453R2V

Isolation

    onsemiМаркаFODM453R2VИспользование электронных микросхем1Упаковка, рабочий температурный диапазон-40°C ~ 85°C,Напряжение3750Vrms,Использование6-SOIC（0.173"，4.40mm 宽），5 引线Технология упаковки，А теперь...FODM453R2VЗапасы чипов являются12618Персонал。
---
 
Isolation

FODM453R2V
查看隔离型号为FODM453R2V，品牌为onsemi的大图  
 
FODM453R2V     В настоящее время имеется достаточное количество продовольствия и материалов, которые можно...
one
Общая информация    
Модель   FODM453R2V
Марка   onsemi
Производитель   onsemi
ПДФ   Viewing PDF files
Количество запасов   12618
 Inquiry Now
Характеристики    
Минимальное количество   1
Серия   OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 5MFP
Упаковка и упаковка   6-SOIC（0.173"，4.40mm 宽），5 引线
Электрическое напряжение   3750Vrms
Рабочая температура   -40°C ~ 85°C
Лаборатория / CCB   DC
 Количество логических элементов   晶体管
Описание  
 
 
 
  •               Предыдущая статья
    TCET1201
    Vishay Semiconductor Opto Division
    1
  •               Следующая статья
    H11B3S1(TA)-V
    Everlight Electronics Co Ltd
    1
    •  
     
    Марка
     
  •  
    полупроводник Ансенми
    1
     
     
  •  
    Техасский прибор
    2
     
     
  •  
    Ваше письмо
    3
     
     
  •  
    Альтра
    4
     
     
  •  
    Итальянско - французский полупроводник
    5
     
     
  •  
    Энхипс!
    6
     
     
  •  
    Селинс.
    7
     
     
  •  
    Цилиндрические
    8
     
     
  •  
    Ботун
    9
     
     
  •  
    Микроэлемент
    10
     
     
    •  
    Шэньчжэньская компания Kaixing Technology Co., Ltd. Гуандун ICP 2022071625
    Адрес компании: Shenzhen Futian District Zhonghai Jiahe Building A 1809 & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; НБСП; Почтовый индекс: 518000 & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; НБСП; Телефон компании: (86) 0755 - 8889698989 & nbsp; & nbsp; НБСП; Факс: 0755 - 8386885
    Шэньчжэньская компания Kaising Technology Co., Ltd. Авторские права

    Шэньчжэньская компания Kaising Technology Co., Ltd. Авторские права