Image


MOCD217R2VM

Isolation

    onsemiМаркаMOCD217R2VMИспользование электронных микросхем1Упаковка, рабочий температурный диапазон-40°C ~ 100°C,Напряжение2500Vrms,Использование8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）Технология упаковки，А теперь...MOCD217R2VMЗапасы чипов являются10100Персонал。
---
 
Isolation

MOCD217R2VM
查看隔离型号为MOCD217R2VM，品牌为onsemi的大图  
 
MOCD217R2VM     В настоящее время имеется достаточное количество продовольствия и материалов, которые можно...
two
Общая информация    
Модель   MOCD217R2VM
Марка   onsemi
Производитель   onsemi
ПДФ   Viewing PDF files
Количество запасов   10100
 Inquiry Now
Характеристики    
Минимальное количество   1
Серия   OPTOISO 2.5KV 2CH TRANS 8SOIC
Упаковка и упаковка   8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
Электрическое напряжение   2500Vrms
Рабочая температура   -40°C ~ 100°C
Лаборатория / CCB   DC
 Количество логических элементов   晶体管
Описание  
 
 
 
  •               Предыдущая статья
    VO617A-3X007T
    Vishay Semiconductor Opto Division
    1
  •               Следующая статья
    VOM617A-2T
    Vishay Semiconductor Opto Division
    1
    •  
     
    Марка
     
  •  
    Итальянско - французский полупроводник
    1
     
     
  •  
    Техасский прибор
    2
     
     
  •  
    Микроэлемент
    3
     
     
  •  
    Энхипс!
    4
     
     
  •  
    полупроводник Ансенми
    5
     
     
  •  
    Цилиндрические
    6
     
     
  •  
    Ботун
    7
     
     
  •  
    Ваше письмо
    8
     
     
  •  
    Ядно
    9
     
     
  •  
    Альтра
    10
     
     
    •  
    Шэньчжэньская компания Kaixing Technology Co., Ltd. Гуандун ICP 2022071625
    Адрес компании: Shenzhen Futian District Zhonghai Jiahe Building A 1809 & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; НБСП; Почтовый индекс: 518000 & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; НБСП; Телефон компании: (86) 0755 - 8889698989 & nbsp; & nbsp; НБСП; Факс: 0755 - 8386885
    Шэньчжэньская компания Kaising Technology Co., Ltd. Авторские права

    Шэньчжэньская компания Kaising Technology Co., Ltd. Авторские права