Image


ISL6612BIRZ

Power management

    Renesas Electronics America IncМаркаISL6612BIRZИспользование электронных микросхем1Упаковка, рабочий температурный диапазон-40°C ~ 125°C（TJ）,Напряжение7V ~ 13.2V,Использование10-VFDFN 裸露焊盘Технология упаковки，А теперь...ISL6612BIRZЗапасы чипов являются10790Персонал。
---
 
Power management

ISL6612BIRZ
查看电源型号为ISL6612BIRZ，品牌为Renesas的大图  
 
ISL6612BIRZ     В настоящее время имеется достаточное количество продовольствия и материалов, которые можно...
0
Общая информация    
Модель   ISL6612BIRZ
Марка   Renesas
Производитель   Renesas Electronics America Inc
ПДФ   Viewing PDF files
Количество запасов   10790
 Inquiry Now
Характеристики    
Минимальное количество   1
Серия   IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN
Упаковка и упаковка   10-VFDFN 裸露焊盘
Электрическое напряжение   7V ~ 13.2V
Рабочая температура   -40°C ~ 125°C（TJ）
Описание  
 
 
 
  •               Предыдущая статья
    MIC4607-1YTS-T5
    Microchip Technology
  •               Следующая статья
    6SD106EI-17
    Power Integrations
    •  
     
    Марка
     
  •  
    Ваше письмо
    1
     
     
  •  
    Цилиндрические
    2
     
     
  •  
    Энхипс!
    3
     
     
  •  
    Селинс.
    4
     
     
  •  
    Ботун
    5
     
     
  •  
    Альтра
    6
     
     
  •  
    Итальянско - французский полупроводник
    7
     
     
  •  
    Ядно
    8
     
     
  •  
    полупроводник Ансенми
    9
     
     
  •  
    Микроэлемент
    10
     
     
    •  
    Шэньчжэньская компания Kaixing Technology Co., Ltd. Гуандун ICP 2022071625
    Адрес компании: Shenzhen Futian District Zhonghai Jiahe Building A 1809 & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; НБСП; Почтовый индекс: 518000 & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; НБСП; Телефон компании: (86) 0755 - 8889698989 & nbsp; & nbsp; НБСП; Факс: 0755 - 8386885
    Шэньчжэньская компания Kaising Technology Co., Ltd. Авторские права

    Шэньчжэньская компания Kaising Technology Co., Ltd. Авторские права