Image


IXJ611S1T&R

Power management

    IXYSМаркаIXJ611S1T&RИспользование электронных микросхем1Упаковка, рабочий температурный диапазон-,Напряжение-,Использование8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）Технология упаковки，А теперь...IXJ611S1T&RЗапасы чипов являются15939Персонал。
---
 
Power management

IXJ611S1T&R
查看电源型号为IXJ611S1T&R，品牌为IXYS的大图  
 
IXJ611S1T&R     В настоящее время имеется достаточное количество продовольствия и материалов, которые можно...
Общая информация    
Модель   IXJ611S1T&R
Марка   IXYS
Производитель   IXYS
ПДФ   Viewing PDF files
Количество запасов   15939
 Inquiry Now
Характеристики    
Минимальное количество   1
Серия   IC GATE DRVR HALF BRIDGE 8SOIC
Упаковка и упаковка   8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
Электрическое напряжение   -
Рабочая температура   -
Описание  
 
 
 
  •               Предыдущая статья
    IR2125
    Infineon Technologies
  •               Следующая статья
    IR2308PBF
    Infineon Technologies
    •  
     
    Марка
     
  •  
    Селинс.
    1
     
     
  •  
    Альтра
    2
     
     
  •  
    Цилиндрические
    3
     
     
  •  
    Микроэлемент
    4
     
     
  •  
    Энхипс!
    5
     
     
  •  
    Техасский прибор
    6
     
     
  •  
    Итальянско - французский полупроводник
    7
     
     
  •  
    полупроводник Ансенми
    8
     
     
  •  
    Ботун
    9
     
     
  •  
    Ваше письмо
    10
     
     
    •  
    Шэньчжэньская компания Kaixing Technology Co., Ltd. Гуандун ICP 2022071625
    Адрес компании: Shenzhen Futian District Zhonghai Jiahe Building A 1809 & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; НБСП; Почтовый индекс: 518000 & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; НБСП; Телефон компании: (86) 0755 - 8889698989 & nbsp; & nbsp; НБСП; Факс: 0755 - 8386885
    Шэньчжэньская компания Kaising Technology Co., Ltd. Авторские права

    Шэньчжэньская компания Kaising Technology Co., Ltd. Авторские права