Image


IXDE509SIA

Power management

    IXYSМаркаIXDE509SIAИспользование электронных микросхем1Упаковка, рабочий температурный диапазон-55°C ~ 150°C（TJ）,Напряжение4.5V ~ 30V,Использование8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）Технология упаковки，А теперь...IXDE509SIAЗапасы чипов являются10367Персонал。
---
 
Power management

IXDE509SIA
查看电源型号为IXDE509SIA，品牌为IXYS的大图  
 
IXDE509SIA     В настоящее время имеется достаточное количество продовольствия и материалов, которые можно...
Общая информация    
Модель   IXDE509SIA
Марка   IXYS
Производитель   IXYS
ПДФ   Viewing PDF files
Количество запасов   10367
 Inquiry Now
Характеристики    
Минимальное количество   1
Серия   IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Упаковка и упаковка   8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
Электрическое напряжение   4.5V ~ 30V
Рабочая температура   -55°C ~ 150°C（TJ）
Описание  
 
 
 
  •               Предыдущая статья
    MCZ33285EF
    NXP USA Inc.
  •               Следующая статья
    L6571B
    STMicroelectronics
    •  
     
    Марка
     
  •  
    полупроводник Ансенми
    1
     
     
  •  
    Ядно
    2
     
     
  •  
    Ваше письмо
    3
     
     
  •  
    Энхипс!
    4
     
     
  •  
    Цилиндрические
    5
     
     
  •  
    Техасский прибор
    6
     
     
  •  
    Итальянско - французский полупроводник
    7
     
     
  •  
    Альтра
    8
     
     
  •  
    Ботун
    9
     
     
  •  
    Микроэлемент
    10
     
     
    •  
    Шэньчжэньская компания Kaixing Technology Co., Ltd. Гуандун ICP 2022071625
    Адрес компании: Shenzhen Futian District Zhonghai Jiahe Building A 1809 & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; НБСП; Почтовый индекс: 518000 & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; НБСП; Телефон компании: (86) 0755 - 8889698989 & nbsp; & nbsp; НБСП; Факс: 0755 - 8386885
    Шэньчжэньская компания Kaising Technology Co., Ltd. Авторские права

    Шэньчжэньская компания Kaising Technology Co., Ltd. Авторские права