Image


HIP2100IBT

Power management

    Renesas Electronics America IncМаркаHIP2100IBTИспользование электронных микросхем1Упаковка, рабочий температурный диапазон-55°C ~ 150°C（TJ）,Напряжение9V ~ 14V,Использование8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）Технология упаковки，А теперь...HIP2100IBTЗапасы чипов являются17215Персонал。
---
 
Power management

HIP2100IBT
查看电源型号为HIP2100IBT，品牌为Renesas的大图  
 
HIP2100IBT     В настоящее время имеется достаточное количество продовольствия и материалов, которые можно...
Общая информация    
Модель   HIP2100IBT
Марка   Renesas
Производитель   Renesas Electronics America Inc
ПДФ   Viewing PDF files
Количество запасов   17215
 Inquiry Now
Характеристики    
Минимальное количество   1
Серия   IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Упаковка и упаковка   8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
Электрическое напряжение   9V ~ 14V
Рабочая температура   -55°C ~ 150°C（TJ）
Описание  
 
 
 
  •               Предыдущая статья
    LM5114BSDX&NOPB
    Texas Instruments
  •               Следующая статья
    2SP0320T2D0-17
    Power Integrations
    •  
     
    Марка
     
  •  
    Энхипс!
    1
     
     
  •  
    Альтра
    2
     
     
  •  
    Ботун
    3
     
     
  •  
    Цилиндрические
    4
     
     
  •  
    Техасский прибор
    5
     
     
  •  
    Ваше письмо
    6
     
     
  •  
    Микроэлемент
    7
     
     
  •  
    Селинс.
    8
     
     
  •  
    Ядно
    9
     
     
  •  
    полупроводник Ансенми
    10
     
     
    •  
    Шэньчжэньская компания Kaixing Technology Co., Ltd. Гуандун ICP 2022071625
    Адрес компании: Shenzhen Futian District Zhonghai Jiahe Building A 1809 & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; НБСП; Почтовый индекс: 518000 & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; НБСП; Телефон компании: (86) 0755 - 8889698989 & nbsp; & nbsp; НБСП; Факс: 0755 - 8386885
    Шэньчжэньская компания Kaising Technology Co., Ltd. Авторские права

    Шэньчжэньская компания Kaising Technology Co., Ltd. Авторские права