Image


IR2011

Power management

    Infineon TechnologiesМаркаIR2011Использование электронных микросхем1Упаковка, рабочий температурный диапазон-40°C ~ 150°C（TJ）,Напряжение10V ~ 20V,Использование8-DIP（0.300"，7.62mm）Технология упаковки，А теперь...IR2011Запасы чипов являются16352Персонал。
---
 
Power management

IR2011
查看电源型号为IR2011，品牌为Infineon的大图  
 
IR2011     В настоящее время имеется достаточное количество продовольствия и материалов, которые можно...
Общая информация    
Модель   IR2011
Марка   Infineon
Производитель   Infineon Technologies
ПДФ   Viewing PDF files
Количество запасов   16352
 Inquiry Now
Характеристики    
Минимальное количество   1
Серия   IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DIP
Упаковка и упаковка   8-DIP（0.300"，7.62mm）
Электрическое напряжение   10V ~ 20V
Рабочая температура   -40°C ~ 150°C（TJ）
Описание  
 
 
 
  •               Предыдущая статья
    1SP0335D2S1-XXXX (2)(3)(4)
    Power Integrations
  •               Следующая статья
    2ED2304S06FXUMA1
    Infineon Technologies
    •  
     
    Марка
     
  •  
    Итальянско - французский полупроводник
    1
     
     
  •  
    Альтра
    2
     
     
  •  
    Селинс.
    3
     
     
  •  
    Ботун
    4
     
     
  •  
    Техасский прибор
    5
     
     
  •  
    Ядно
    6
     
     
  •  
    Цилиндрические
    7
     
     
  •  
    Ваше письмо
    8
     
     
  •  
    полупроводник Ансенми
    9
     
     
  •  
    Микроэлемент
    10
     
     
    •  
    Шэньчжэньская компания Kaixing Technology Co., Ltd. Гуандун ICP 2022071625
    Адрес компании: Shenzhen Futian District Zhonghai Jiahe Building A 1809 & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; НБСП; Почтовый индекс: 518000 & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; НБСП; Телефон компании: (86) 0755 - 8889698989 & nbsp; & nbsp; НБСП; Факс: 0755 - 8386885
    Шэньчжэньская компания Kaising Technology Co., Ltd. Авторские права

    Шэньчжэньская компания Kaising Technology Co., Ltd. Авторские права