Image


HIP2121FRTAZ-T

Power management

    Renesas Electronics America IncМаркаHIP2121FRTAZ-TИспользование электронных микросхем1Упаковка, рабочий температурный диапазон-55°C ~ 150°C（TJ）,Напряжение8V ~ 14V,Использование10-WDFN 裸露焊盘Технология упаковки，А теперь...HIP2121FRTAZ-TЗапасы чипов являются17499Персонал。
---
 
Power management

HIP2121FRTAZ-T
查看电源型号为HIP2121FRTAZ-T，品牌为Renesas的大图  
 
HIP2121FRTAZ-T     В настоящее время имеется достаточное количество продовольствия и материалов, которые можно...
Общая информация    
Модель   HIP2121FRTAZ-T
Марка   Renesas
Производитель   Renesas Electronics America Inc
ПДФ   Viewing PDF files
Количество запасов   17499
 Inquiry Now
Характеристики    
Минимальное количество   1
Серия   IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10TDFN
Упаковка и упаковка   10-WDFN 裸露焊盘
Электрическое напряжение   8V ~ 14V
Рабочая температура   -55°C ~ 150°C（TJ）
Описание  
 
 
 
  •               Предыдущая статья
    MAX5055BASA+T
    Analog Devices Inc./Maxim Integrated
  •               Следующая статья
    ISL6608CRZ-T
    Renesas Electronics America Inc
    •  
     
    Марка
     
  •  
    Альтра
    1
     
     
  •  
    Цилиндрические
    2
     
     
  •  
    Итальянско - французский полупроводник
    3
     
     
  •  
    Энхипс!
    4
     
     
  •  
    полупроводник Ансенми
    5
     
     
  •  
    Ядно
    6
     
     
  •  
    Ваше письмо
    7
     
     
  •  
    Селинс.
    8
     
     
  •  
    Микроэлемент
    9
     
     
  •  
    Техасский прибор
    10
     
     
    •  
    Шэньчжэньская компания Kaixing Technology Co., Ltd. Гуандун ICP 2022071625
    Адрес компании: Shenzhen Futian District Zhonghai Jiahe Building A 1809 & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; НБСП; Почтовый индекс: 518000 & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; НБСП; Телефон компании: (86) 0755 - 8889698989 & nbsp; & nbsp; НБСП; Факс: 0755 - 8386885
    Шэньчжэньская компания Kaising Technology Co., Ltd. Авторские права

    Шэньчжэньская компания Kaising Technology Co., Ltd. Авторские права