Image


ISL6605CBZ-T

Power management

    Renesas Electronics America IncМаркаISL6605CBZ-TИспользование электронных микросхем1Упаковка, рабочий температурный диапазон0°C ~ 125°C（TJ）,Напряжение4.5V ~ 5.5V,Использование8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）Технология упаковки，А теперь...ISL6605CBZ-TЗапасы чипов являются12399Персонал。
---
 
Power management

ISL6605CBZ-T
查看电源型号为ISL6605CBZ-T，品牌为Renesas的大图  
 
ISL6605CBZ-T     В настоящее время имеется достаточное количество продовольствия и материалов, которые можно...
Общая информация    
Модель   ISL6605CBZ-T
Марка   Renesas
Производитель   Renesas Electronics America Inc
ПДФ   Viewing PDF files
Количество запасов   12399
 Inquiry Now
Характеристики    
Минимальное количество   1
Серия   IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Упаковка и упаковка   8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
Электрическое напряжение   4.5V ~ 5.5V
Рабочая температура   0°C ~ 125°C（TJ）
Описание  
 
 
 
  •               Предыдущая статья
    ISL89164FBEBZ
    Renesas Electronics America Inc
  •               Следующая статья
    2SP0320T2A0C-XXXX (2)(3)(4)
    Power Integrations
    •  
     
    Марка
     
  •  
    Ядно
    1
     
     
  •  
    Селинс.
    2
     
     
  •  
    полупроводник Ансенми
    3
     
     
  •  
    Альтра
    4
     
     
  •  
    Микроэлемент
    5
     
     
  •  
    Техасский прибор
    6
     
     
  •  
    Цилиндрические
    7
     
     
  •  
    Ботун
    8
     
     
  •  
    Энхипс!
    9
     
     
  •  
    Итальянско - французский полупроводник
    10
     
     
    •  
    Шэньчжэньская компания Kaixing Technology Co., Ltd. Гуандун ICP 2022071625
    Адрес компании: Shenzhen Futian District Zhonghai Jiahe Building A 1809 & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; НБСП; Почтовый индекс: 518000 & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; НБСП; Телефон компании: (86) 0755 - 8889698989 & nbsp; & nbsp; НБСП; Факс: 0755 - 8386885
    Шэньчжэньская компания Kaising Technology Co., Ltd. Авторские права

    Шэньчжэньская компания Kaising Technology Co., Ltd. Авторские права