Image


HIP6604BCRZ

Power management

    Renesas Electronics America IncМаркаHIP6604BCRZИспользование электронных микросхем1Упаковка, рабочий температурный диапазон0°C ~ 125°C（TJ）,Напряжение10.8V ~ 13.2V,Использование16-VQFN 裸露焊盘Технология упаковки，А теперь...HIP6604BCRZЗапасы чипов являются16461Персонал。
---
 
Power management

HIP6604BCRZ
查看电源型号为HIP6604BCRZ，品牌为Renesas的大图  
 
HIP6604BCRZ     В настоящее время имеется достаточное количество продовольствия и материалов, которые можно...
Общая информация    
Модель   HIP6604BCRZ
Марка   Renesas
Производитель   Renesas Electronics America Inc
ПДФ   Viewing PDF files
Количество запасов   16461
 Inquiry Now
Характеристики    
Минимальное количество   1
Серия   IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN
Упаковка и упаковка   16-VQFN 裸露焊盘
Электрическое напряжение   10.8V ~ 13.2V
Рабочая температура   0°C ~ 125°C（TJ）
Описание  
 
 
 
  •               Предыдущая статья
    LT8672EMS&WTRPBF
    Analog Devices Inc.
  •               Следующая статья
    MCP14A0303-E&SN
    Microchip Technology
    •  
     
    Марка
     
  •  
    Ядно
    1
     
     
  •  
    Техасский прибор
    2
     
     
  •  
    Ваше письмо
    3
     
     
  •  
    Микроэлемент
    4
     
     
  •  
    Энхипс!
    5
     
     
  •  
    Селинс.
    6
     
     
  •  
    полупроводник Ансенми
    7
     
     
  •  
    Цилиндрические
    8
     
     
  •  
    Ботун
    9
     
     
  •  
    Альтра
    10
     
     
    •  
    Шэньчжэньская компания Kaixing Technology Co., Ltd. Гуандун ICP 2022071625
    Адрес компании: Shenzhen Futian District Zhonghai Jiahe Building A 1809 & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; НБСП; Почтовый индекс: 518000 & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; НБСП; Телефон компании: (86) 0755 - 8889698989 & nbsp; & nbsp; НБСП; Факс: 0755 - 8386885
    Шэньчжэньская компания Kaising Technology Co., Ltd. Авторские права

    Шэньчжэньская компания Kaising Technology Co., Ltd. Авторские права