Image


ISL6613IB

Power management

    Renesas Electronics America IncМаркаISL6613IBИспользование электронных микросхем1Упаковка, рабочий температурный диапазон-40°C ~ 125°C（TJ）,Напряжение10.8V ~ 13.2V,Использование8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）Технология упаковки，А теперь...ISL6613IBЗапасы чипов являются19166Персонал。
---
 
Power management

ISL6613IB
查看电源型号为ISL6613IB，品牌为Renesas的大图  
 
ISL6613IB     В настоящее время имеется достаточное количество продовольствия и материалов, которые можно...
Общая информация    
Модель   ISL6613IB
Марка   Renesas
Производитель   Renesas Electronics America Inc
ПДФ   Viewing PDF files
Количество запасов   19166
 Inquiry Now
Характеристики    
Минимальное количество   1
Серия   IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Упаковка и упаковка   8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
Электрическое напряжение   10.8V ~ 13.2V
Рабочая температура   -40°C ~ 125°C（TJ）
Описание  
 
 
 
  •               Предыдущая статья
    TC426EOA
    Microchip Technology
  •               Следующая статья
    IR2132JTRPBF
    Infineon Technologies
    •  
     
    Марка
     
  •  
    Микроэлемент
    1
     
     
  •  
    Энхипс!
    2
     
     
  •  
    Итальянско - французский полупроводник
    3
     
     
  •  
    Ядно
    4
     
     
  •  
    Ботун
    5
     
     
  •  
    Цилиндрические
    6
     
     
  •  
    полупроводник Ансенми
    7
     
     
  •  
    Ваше письмо
    8
     
     
  •  
    Альтра
    9
     
     
  •  
    Селинс.
    10
     
     
    •  
    Шэньчжэньская компания Kaixing Technology Co., Ltd. Гуандун ICP 2022071625
    Адрес компании: Shenzhen Futian District Zhonghai Jiahe Building A 1809 & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; НБСП; Почтовый индекс: 518000 & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; НБСП; Телефон компании: (86) 0755 - 8889698989 & nbsp; & nbsp; НБСП; Факс: 0755 - 8386885
    Шэньчжэньская компания Kaising Technology Co., Ltd. Авторские права

    Шэньчжэньская компания Kaising Technology Co., Ltd. Авторские права