Image


HIP2101IRZ

Power management

    Renesas Electronics America IncМаркаHIP2101IRZИспользование электронных микросхем1200Упаковка, рабочий температурный диапазон-55°C ~ 150°C（TJ）,Напряжение9V ~ 14V,Использование16-VQFN 裸露焊盘Технология упаковки，А теперь...HIP2101IRZЗапасы чипов являются11027Персонал。
---
 
Power management

HIP2101IRZ
查看电源型号为HIP2101IRZ，品牌为Renesas的大图  
 
HIP2101IRZ     В настоящее время имеется достаточное количество продовольствия и материалов, которые можно...
Общая информация    
Модель   HIP2101IRZ
Марка   Renesas
Производитель   Renesas Electronics America Inc
ПДФ   Viewing PDF files
Количество запасов   11027
 Inquiry Now
Характеристики    
Минимальное количество   1200
Серия   IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN
Упаковка и упаковка   16-VQFN 裸露焊盘
Электрическое напряжение   9V ~ 14V
Рабочая температура   -55°C ~ 150°C（TJ）
Описание  
 
 
 
  •               Предыдущая статья
    MC34152DR2G
    onsemi
  •               Следующая статья
    TC1413NEUA
    Microchip Technology
    •  
     
    Марка
     
  •  
    полупроводник Ансенми
    1
     
     
  •  
    Итальянско - французский полупроводник
    2
     
     
  •  
    Альтра
    3
     
     
  •  
    Цилиндрические
    4
     
     
  •  
    Энхипс!
    5
     
     
  •  
    Ботун
    6
     
     
  •  
    Микроэлемент
    7
     
     
  •  
    Селинс.
    8
     
     
  •  
    Техасский прибор
    9
     
     
  •  
    Ваше письмо
    10
     
     
    •  
    Шэньчжэньская компания Kaixing Technology Co., Ltd. Гуандун ICP 2022071625
    Адрес компании: Shenzhen Futian District Zhonghai Jiahe Building A 1809 & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; НБСП; Почтовый индекс: 518000 & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; НБСП; Телефон компании: (86) 0755 - 8889698989 & nbsp; & nbsp; НБСП; Факс: 0755 - 8386885
    Шэньчжэньская компания Kaising Technology Co., Ltd. Авторские права

    Шэньчжэньская компания Kaising Technology Co., Ltd. Авторские права