Image


HIP2101IRZ

Power management

    Renesas Electronics America IncМаркаHIP2101IRZИспользование электронных микросхем1200Упаковка, рабочий температурный диапазон-55°C ~ 150°C（TJ）,Напряжение9V ~ 14V,Использование16-VQFN 裸露焊盘Технология упаковки，А теперь...HIP2101IRZЗапасы чипов являются11027Персонал。
---
 
Power management

HIP2101IRZ
查看电源型号为HIP2101IRZ，品牌为Renesas的大图  
 
HIP2101IRZ     В настоящее время имеется достаточное количество продовольствия и материалов, которые можно...
0
Общая информация    
Модель   HIP2101IRZ
Марка   Renesas
Производитель   Renesas Electronics America Inc
ПДФ   Viewing PDF files
Количество запасов   11027
 Inquiry Now
Характеристики    
Минимальное количество   1200
Серия   IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN
Упаковка и упаковка   16-VQFN 裸露焊盘
Электрическое напряжение   9V ~ 14V
Рабочая температура   -55°C ~ 150°C（TJ）
Описание  
 
 
 
  •               Предыдущая статья
    MC34152DR2G
    onsemi
  •               Следующая статья
    TC1413NEUA
    Microchip Technology
    •  
     
    Марка
     
  •  
    Альтра
    1
     
     
  •  
    Ботун
    2
     
     
  •  
    Энхипс!
    3
     
     
  •  
    Микроэлемент
    4
     
     
  •  
    Селинс.
    5
     
     
  •  
    Техасский прибор
    6
     
     
  •  
    полупроводник Ансенми
    7
     
     
  •  
    Ваше письмо
    8
     
     
  •  
    Цилиндрические
    9
     
     
  •  
    Итальянско - французский полупроводник
    10
     
     
    •  
    Шэньчжэньская компания Kaixing Technology Co., Ltd. Гуандун ICP 2022071625
    Адрес компании: Shenzhen Futian District Zhonghai Jiahe Building A 1809 & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; НБСП; Почтовый индекс: 518000 & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; НБСП; Телефон компании: (86) 0755 - 8889698989 & nbsp; & nbsp; НБСП; Факс: 0755 - 8386885
    Шэньчжэньская компания Kaising Technology Co., Ltd. Авторские права

    Шэньчжэньская компания Kaising Technology Co., Ltd. Авторские права