Image


HIP2100IRZ

Power management

    Renesas Electronics America IncМаркаHIP2100IRZИспользование электронных микросхем1920Упаковка, рабочий температурный диапазон-55°C ~ 150°C（TJ）,Напряжение9V ~ 14V,Использование16-VQFN 裸露焊盘Технология упаковки，А теперь...HIP2100IRZЗапасы чипов являются19986Персонал。
---
 
Power management

HIP2100IRZ
查看电源型号为HIP2100IRZ，品牌为Renesas的大图  
 
HIP2100IRZ     В настоящее время имеется достаточное количество продовольствия и материалов, которые можно...
Общая информация    
Модель   HIP2100IRZ
Марка   Renesas
Производитель   Renesas Electronics America Inc
ПДФ   Viewing PDF files
Количество запасов   19986
 Inquiry Now
Характеристики    
Минимальное количество   1920
Серия   IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN
Упаковка и упаковка   16-VQFN 裸露焊盘
Электрическое напряжение   9V ~ 14V
Рабочая температура   -55°C ~ 150°C（TJ）
Описание  
 
 
 
  •               Предыдущая статья
    FAN3278TMX
    onsemi
  •               Следующая статья
    TC1413EUA713
    Microchip Technology
    •  
     
    Марка
     
  •  
    Итальянско - французский полупроводник
    1
     
     
  •  
    Цилиндрические
    2
     
     
  •  
    Энхипс!
    3
     
     
  •  
    Ботун
    4
     
     
  •  
    Техасский прибор
    5
     
     
  •  
    Альтра
    6
     
     
  •  
    Ваше письмо
    7
     
     
  •  
    полупроводник Ансенми
    8
     
     
  •  
    Селинс.
    9
     
     
  •  
    Микроэлемент
    10
     
     
    •  
    Шэньчжэньская компания Kaixing Technology Co., Ltd. Гуандун ICP 2022071625
    Адрес компании: Shenzhen Futian District Zhonghai Jiahe Building A 1809 & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; НБСП; Почтовый индекс: 518000 & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; НБСП; Телефон компании: (86) 0755 - 8889698989 & nbsp; & nbsp; НБСП; Факс: 0755 - 8386885
    Шэньчжэньская компания Kaising Technology Co., Ltd. Авторские права

    Шэньчжэньская компания Kaising Technology Co., Ltd. Авторские права