Image


HIP2100EIBZT

Power management

    Renesas Electronics America IncМаркаHIP2100EIBZTИспользование электронных микросхем2500Упаковка, рабочий температурный диапазон-55°C ~ 150°C（TJ）,Напряжение9V ~ 14V,Использование8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘Технология упаковки，А теперь...HIP2100EIBZTЗапасы чипов являются12264Персонал。
---
 
Power management

HIP2100EIBZT
查看电源型号为HIP2100EIBZT，品牌为Renesas的大图  
 
HIP2100EIBZT     В настоящее время имеется достаточное количество продовольствия и материалов, которые можно...
Общая информация    
Модель   HIP2100EIBZT
Марка   Renesas
Производитель   Renesas Electronics America Inc
ПДФ   Viewing PDF files
Количество запасов   12264
 Inquiry Now
Характеристики    
Минимальное количество   2500
Серия   IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Упаковка и упаковка   8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘
Электрическое напряжение   9V ~ 14V
Рабочая температура   -55°C ~ 150°C（TJ）
Описание  
 
 
 
  •               Предыдущая статья
    FAN3217TMX
    onsemi
  •               Следующая статья
    TC1413NEUA713
    Microchip Technology
    •  
     
    Марка
     
  •  
    Микроэлемент
    1
     
     
  •  
    Итальянско - французский полупроводник
    2
     
     
  •  
    Альтра
    3
     
     
  •  
    Ваше письмо
    4
     
     
  •  
    Энхипс!
    5
     
     
  •  
    Цилиндрические
    6
     
     
  •  
    Ботун
    7
     
     
  •  
    полупроводник Ансенми
    8
     
     
  •  
    Селинс.
    9
     
     
  •  
    Техасский прибор
    10
     
     
    •  
    Шэньчжэньская компания Kaixing Technology Co., Ltd. Гуандун ICP 2022071625
    Адрес компании: Shenzhen Futian District Zhonghai Jiahe Building A 1809 & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; НБСП; Почтовый индекс: 518000 & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; НБСП; Телефон компании: (86) 0755 - 8889698989 & nbsp; & nbsp; НБСП; Факс: 0755 - 8386885
    Шэньчжэньская компания Kaising Technology Co., Ltd. Авторские права

    Шэньчжэньская компания Kaising Technology Co., Ltd. Авторские права