Image


ISL6614BIRZ-T

Power management

    Renesas Electronics America IncМаркаISL6614BIRZ-TИспользование электронных микросхем1Упаковка, рабочий температурный диапазон-40°C ~ 125°C（TJ）,Напряжение7V ~ 13.2V,Использование16-VQFN 裸露焊盘Технология упаковки，А теперь...ISL6614BIRZ-TЗапасы чипов являются15046Персонал。
---
 
Power management

ISL6614BIRZ-T
查看电源型号为ISL6614BIRZ-T，品牌为Renesas的大图  
 
ISL6614BIRZ-T     В настоящее время имеется достаточное количество продовольствия и материалов, которые можно...
Общая информация    
Модель   ISL6614BIRZ-T
Марка   Renesas
Производитель   Renesas Electronics America Inc
ПДФ   Viewing PDF files
Количество запасов   15046
 Inquiry Now
Характеристики    
Минимальное количество   1
Серия   IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN
Упаковка и упаковка   16-VQFN 裸露焊盘
Электрическое напряжение   7V ~ 13.2V
Рабочая температура   -40°C ~ 125°C（TJ）
Описание  
 
 
 
  •               Предыдущая статья
    LTC4442EMS8E-1&PBF
    Analog Devices Inc.
  •               Следующая статья
    MAX4427EPA+
    Analog Devices Inc./Maxim Integrated
    •  
     
    Марка
     
  •  
    Альтра
    1
     
     
  •  
    Итальянско - французский полупроводник
    2
     
     
  •  
    Энхипс!
    3
     
     
  •  
    Цилиндрические
    4
     
     
  •  
    Ботун
    5
     
     
  •  
    Микроэлемент
    6
     
     
  •  
    Селинс.
    7
     
     
  •  
    Техасский прибор
    8
     
     
  •  
    полупроводник Ансенми
    9
     
     
  •  
    Ядно
    10
     
     
    •  
    Шэньчжэньская компания Kaixing Technology Co., Ltd. Гуандун ICP 2022071625
    Адрес компании: Shenzhen Futian District Zhonghai Jiahe Building A 1809 & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; НБСП; Почтовый индекс: 518000 & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; НБСП; Телефон компании: (86) 0755 - 8889698989 & nbsp; & nbsp; НБСП; Факс: 0755 - 8386885
    Шэньчжэньская компания Kaising Technology Co., Ltd. Авторские права

    Шэньчжэньская компания Kaising Technology Co., Ltd. Авторские права