Image


HIP6602BCR

Power management

    Renesas Electronics America IncМаркаHIP6602BCRИспользование электронных микросхем1Упаковка, рабочий температурный диапазон0°C ~ 125°C（TJ）,Напряжение10.8V ~ 13.2V,Использование16-VQFN 裸露焊盘Технология упаковки，А теперь...HIP6602BCRЗапасы чипов являются18159Персонал。
---
 
Power management

HIP6602BCR
查看电源型号为HIP6602BCR，品牌为Renesas的大图  
 
HIP6602BCR     В настоящее время имеется достаточное количество продовольствия и материалов, которые можно...
Общая информация    
Модель   HIP6602BCR
Марка   Renesas
Производитель   Renesas Electronics America Inc
ПДФ   Viewing PDF files
Количество запасов   18159
 Inquiry Now
Характеристики    
Минимальное количество   1
Серия   IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN
Упаковка и упаковка   16-VQFN 裸露焊盘
Электрическое напряжение   10.8V ~ 13.2V
Рабочая температура   0°C ~ 125°C（TJ）
Описание  
 
 
 
  •               Предыдущая статья
    ISL2111ARTZ-T
    Renesas Electronics America Inc
  •               Следующая статья
    MAX1614EUA+T
    Analog Devices Inc./Maxim Integrated
    •  
     
    Марка
     
  •  
    Микроэлемент
    1
     
     
  •  
    Селинс.
    2
     
     
  •  
    полупроводник Ансенми
    3
     
     
  •  
    Итальянско - французский полупроводник
    4
     
     
  •  
    Ботун
    5
     
     
  •  
    Цилиндрические
    6
     
     
  •  
    Ядно
    7
     
     
  •  
    Техасский прибор
    8
     
     
  •  
    Ваше письмо
    9
     
     
  •  
    Энхипс!
    10
     
     
    •  
    Шэньчжэньская компания Kaixing Technology Co., Ltd. Гуандун ICP 2022071625
    Адрес компании: Shenzhen Futian District Zhonghai Jiahe Building A 1809 & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; НБСП; Почтовый индекс: 518000 & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; НБСП; Телефон компании: (86) 0755 - 8889698989 & nbsp; & nbsp; НБСП; Факс: 0755 - 8386885
    Шэньчжэньская компания Kaising Technology Co., Ltd. Авторские права

    Шэньчжэньская компания Kaising Technology Co., Ltd. Авторские права