Image


HIP6601BCB-T

Power management

    Renesas Electronics America IncМаркаHIP6601BCB-TИспользование электронных микросхем1Упаковка, рабочий температурный диапазон0°C ~ 125°C（TJ）,Напряжение10.8V ~ 13.2V,Использование8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）Технология упаковки，А теперь...HIP6601BCB-TЗапасы чипов являются13715Персонал。
---
 
Power management

HIP6601BCB-T
查看电源型号为HIP6601BCB-T，品牌为Renesas的大图  
 
HIP6601BCB-T     В настоящее время имеется достаточное количество продовольствия и материалов, которые можно...
Общая информация    
Модель   HIP6601BCB-T
Марка   Renesas
Производитель   Renesas Electronics America Inc
ПДФ   Viewing PDF files
Количество запасов   13715
 Inquiry Now
Характеристики    
Минимальное количество   1
Серия   IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Упаковка и упаковка   8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
Электрическое напряжение   10.8V ~ 13.2V
Рабочая температура   0°C ~ 125°C（TJ）
Описание  
 
 
 
  •               Предыдущая статья
    TC4429VPA
    Microchip Technology
  •               Следующая статья
    NCD57001DWR2G
    onsemi
    •  
     
    Марка
     
  •  
    Техасский прибор
    1
     
     
  •  
    Итальянско - французский полупроводник
    2
     
     
  •  
    Энхипс!
    3
     
     
  •  
    Ядно
    4
     
     
  •  
    полупроводник Ансенми
    5
     
     
  •  
    Ваше письмо
    6
     
     
  •  
    Альтра
    7
     
     
  •  
    Микроэлемент
    8
     
     
  •  
    Ботун
    9
     
     
  •  
    Селинс.
    10
     
     
    •  
    Шэньчжэньская компания Kaixing Technology Co., Ltd. Гуандун ICP 2022071625
    Адрес компании: Shenzhen Futian District Zhonghai Jiahe Building A 1809 & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; НБСП; Почтовый индекс: 518000 & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; НБСП; Телефон компании: (86) 0755 - 8889698989 & nbsp; & nbsp; НБСП; Факс: 0755 - 8386885
    Шэньчжэньская компания Kaising Technology Co., Ltd. Авторские права

    Шэньчжэньская компания Kaising Technology Co., Ltd. Авторские права