Image


HIP2101IRT

Power management

    Renesas Electronics America IncМаркаHIP2101IRTИспользование электронных микросхем1Упаковка, рабочий температурный диапазон-55°C ~ 150°C（TJ）,Напряжение9V ~ 14V,Использование16-VQFN 裸露焊盘Технология упаковки，А теперь...HIP2101IRTЗапасы чипов являются15119Персонал。
---
 
Power management

HIP2101IRT
查看电源型号为HIP2101IRT，品牌为Renesas的大图  
 
HIP2101IRT     В настоящее время имеется достаточное количество продовольствия и материалов, которые можно...
Общая информация    
Модель   HIP2101IRT
Марка   Renesas
Производитель   Renesas Electronics America Inc
ПДФ   Viewing PDF files
Количество запасов   15119
 Inquiry Now
Характеристики    
Минимальное количество   1
Серия   IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN
Упаковка и упаковка   16-VQFN 裸露焊盘
Электрическое напряжение   9V ~ 14V
Рабочая температура   -55°C ~ 150°C（TJ）
Описание  
 
 
 
  •               Предыдущая статья
    TC1410EOA
    Microchip Technology
  •               Следующая статья
    NCD57001FDWR2G
    onsemi
    •  
     
    Марка
     
  •  
    Ботун
    1
     
     
  •  
    полупроводник Ансенми
    2
     
     
  •  
    Селинс.
    3
     
     
  •  
    Альтра
    4
     
     
  •  
    Цилиндрические
    5
     
     
  •  
    Микроэлемент
    6
     
     
  •  
    Итальянско - французский полупроводник
    7
     
     
  •  
    Ваше письмо
    8
     
     
  •  
    Ядно
    9
     
     
  •  
    Техасский прибор
    10
     
     
    •  
    Шэньчжэньская компания Kaixing Technology Co., Ltd. Гуандун ICP 2022071625
    Адрес компании: Shenzhen Futian District Zhonghai Jiahe Building A 1809 & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; НБСП; Почтовый индекс: 518000 & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; НБСП; Телефон компании: (86) 0755 - 8889698989 & nbsp; & nbsp; НБСП; Факс: 0755 - 8386885
    Шэньчжэньская компания Kaising Technology Co., Ltd. Авторские права

    Шэньчжэньская компания Kaising Technology Co., Ltd. Авторские права