Image


1EDN8511BXUSA1

Power management

    Infineon TechnologiesМарка1EDN8511BXUSA1Использование электронных микросхем1Упаковка, рабочий температурный диапазон-40°C ~ 150°C（TJ）,Напряжение8V ~ 20V,ИспользованиеSOT-23-6Технология упаковки，А теперь...1EDN8511BXUSA1Запасы чипов являются13969Персонал。
---
 
Power management

1EDN8511BXUSA1
查看电源型号为1EDN8511BXUSA1，品牌为Infineon的大图  
 
1EDN8511BXUSA1     В настоящее время имеется достаточное количество продовольствия и материалов, которые можно...
Общая информация    
Модель   1EDN8511BXUSA1
Марка   Infineon
Производитель   Infineon Technologies
ПДФ   Viewing PDF files
Количество запасов   13969
 Inquiry Now
Характеристики    
Минимальное количество   1
Серия   IC GATE DRV HALF BRD/LOW SOT23-6
Упаковка и упаковка   SOT-23-6
Электрическое напряжение   8V ~ 20V
Рабочая температура   -40°C ~ 150°C（TJ）
Описание  
 
 
 
  •               Предыдущая статья
    FAN3111ESX
    onsemi
  •               Следующая статья
    IRS10752LTRPBF
    Infineon Technologies
    •  
     
    Марка
     
  •  
    Микроэлемент
    1
     
     
  •  
    полупроводник Ансенми
    2
     
     
  •  
    Альтра
    3
     
     
  •  
    Ботун
    4
     
     
  •  
    Ядно
    5
     
     
  •  
    Селинс.
    6
     
     
  •  
    Ваше письмо
    7
     
     
  •  
    Техасский прибор
    8
     
     
  •  
    Цилиндрические
    9
     
     
  •  
    Итальянско - французский полупроводник
    10
     
     
    •  
    Шэньчжэньская компания Kaixing Technology Co., Ltd. Гуандун ICP 2022071625
    Адрес компании: Shenzhen Futian District Zhonghai Jiahe Building A 1809 & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; НБСП; Почтовый индекс: 518000 & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; НБСП; Телефон компании: (86) 0755 - 8889698989 & nbsp; & nbsp; НБСП; Факс: 0755 - 8386885
    Шэньчжэньская компания Kaising Technology Co., Ltd. Авторские права

    Шэньчжэньская компания Kaising Technology Co., Ltd. Авторские права