Image


TLE2082IDR

Amplifiers

    Texas InstrumentsМаркаTLE2082IDRИспользование электронных микросхем1Упаковка, рабочий температурный диапазон-40°C ~ 85°C（TA）,Напряжение,Использование8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）Технология упаковки，А теперь...TLE2082IDRЗапасы чипов являются17405Персонал。
---
 
Amplifiers

TLE2082IDR
查看放大器型号为TLE2082IDR，品牌为TI的大图  
 
TLE2082IDR     В настоящее время имеется достаточное количество продовольствия и материалов, которые можно...
J-FET
Общая информация    
Модель   TLE2082IDR
Марка  
Производитель   Texas Instruments
ПДФ   Viewing PDF files
Количество запасов   17405
 Inquiry Now
Характеристики    
Минимальное количество   1
Серия   IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC
Упаковка и упаковка   8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
Рабочая температура   -40°C ~ 85°C（TA）
Описание  
 
J-FET
 
 
  •               Предыдущая статья
    MCP6V62T-E&MNY
    Microchip Technology
    零漂移
  •               Следующая статья
    OPA1692IDR
    Texas Instruments
    音频
    •  
     
    Марка
     
  •  
    Техасский прибор
    1
     
     
  •  
    Энхипс!
    2
     
     
  •  
    полупроводник Ансенми
    3
     
     
  •  
    Ботун
    4
     
     
  •  
    Итальянско - французский полупроводник
    5
     
     
  •  
    Ваше письмо
    6
     
     
  •  
    Ядно
    7
     
     
  •  
    Альтра
    8
     
     
  •  
    Цилиндрические
    9
     
     
  •  
    Селинс.
    10
     
     
    •  
    Шэньчжэньская компания Kaixing Technology Co., Ltd. Гуандун ICP 2022071625
    Адрес компании: Shenzhen Futian District Zhonghai Jiahe Building A 1809 & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; НБСП; Почтовый индекс: 518000 & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; НБСП; Телефон компании: (86) 0755 - 8889698989 & nbsp; & nbsp; НБСП; Факс: 0755 - 8386885
    Шэньчжэньская компания Kaising Technology Co., Ltd. Авторские права

    Шэньчжэньская компания Kaising Technology Co., Ltd. Авторские права