Image


S6AE101A0DGNAB200

Power management

    Infineon TechnologiesМаркаS6AE101A0DGNAB200Использование электронных микросхем1Упаковка, рабочий температурный диапазон-40°C ~ 85°C,Напряжение2V ~ 5.5V,Использование10-VFDFN 裸露焊盘Технология упаковки,А теперь...S6AE101A0DGNAB200Запасы чипов являются16781Персонал。
---
 
Power management

S6AE101A0DGNAB200

查看电源型号为S6AE101A0DGNAB200,品牌为Infineon的大图  
 
S6AE101A0DGNAB200     В настоящее время имеется достаточное количество продовольствия и материалов, которые можно...
Общая информация    
Модель   S6AE101A0DGNAB200
Марка   Infineon
Производитель   Infineon Technologies
ПДФ   Viewing PDF files
Количество запасов   16781
 Inquiry Now
Характеристики    
Минимальное количество   1
Серия   IC PMIC ENERGY HARVESTING 10SON
Упаковка и упаковка   10-VFDFN 裸露焊盘
Электрическое напряжение   2V ~ 5.5V
Рабочая температура   -40°C ~ 85°C
Описание  
 
能量收集
 
 
  •               Предыдущая статья
    LP3927ILQ-AZ&NOPB
    Texas Instruments
    手持/移动设备
  •               Следующая статья
    LP3927ILQX-AJ
    Texas Instruments
    手持/移动设备
  •  
     
    Марка
     
  •  
    полупроводник Ансенми
    1
     
     
  •  
    Техасский прибор
    2
     
     
  •  
    Альтра
    3
     
     
  •  
    Энхипс!
    4
     
     
  •  
    Микроэлемент
    5
     
     
  •  
    Ваше письмо
    6
     
     
  •  
    Ядно
    7
     
     
  •  
    Итальянско - французский полупроводник
    8
     
     
  •  
    Ботун
    9
     
     
  •  
    Цилиндрические
    10
     
     
  •  
    Шэньчжэньская компания Kaixing Technology Co., Ltd. Гуандун ICP 2022071625
    Адрес компании: Shenzhen Futian District Zhonghai Jiahe Building A 1809 & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; НБСП; Почтовый индекс: 518000 & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; & nbsp; НБСП; Телефон компании: (86) 0755 - 8889698989 & nbsp; & nbsp; НБСП; Факс: 0755 - 8386885
    Шэньчжэньская компания Kaising Technology Co., Ltd. Авторские права

    Шэньчжэньская компания Kaising Technology Co., Ltd. Авторские права